Kategorie

IRFB9N65 - N-MOSFET 650V/8.5A - TO220

5479

Na magazynie: 6

4,13 zł brutto

3,36 zł netto

Dodaj do koszyka

Nie ma punktów lojalnościowych za ten produkt.


Dane techniczne:

  • Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
  • Napiecie dren-źródło: 650V
  • Prąd drenu: 8,5A
  • Moc: 167W
  • Obudowa: TO220
  • Napięcie bramka-źródło: 30V
  • Rezystencja w stanie przewodzenia: 0,93Ω
  • Rezystencja termincza złącze-obudowa: 0,75K/W
  • Ładunek bramki: 48nC
  • Montaż: THT

Opis wyprowadzeń: