Kategorie

SI4463BDY-E3 - P-MOSFET 20V/10A - SO8

321

Na magazynie: 5

5,81 zł brutto

4,72 zł netto

Dodaj do koszyka

Nie ma punktów lojalnościowych za ten produkt.


Dane techniczne:

  • Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
  • Napięcie dren-źródło: -20V
  • Prąd drenu: -9,8A
  • Moc: 1,5W
  • Obudowa : SO8
  • Napięcie bramka-źródło: 12V
  • Rezystancja w stanie przewodzenia : 11mΩ
  • Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 84K/W
  • Ładunek bramki: 56nC
  • Montaż: SMD

 

Opis wyprowadzeń: