Kategorie

IRFH5300 - N-MOSFET QFN

10829

Chwilowo niedostępny

7,50 zł brutto

6,10 zł netto

Nie ma punktów lojalnościowych za ten produkt.


Dane techniczne:

  • Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
  • Napięcie dren-źródło: 30V
  • Prąd drenu: 100A
  • Obudowa : QFN
  • Napięcie bramka-źródło: 2,35V
  • Rezystancja w stanie przewodzenia : 1,4mΩ
  • Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 0,5-15K/W
  • Ładunek bramki: 50nC
  • Montaż: SMD

 

Opis wyprowadzeń: